 新闻中心联系方式
- 谨慎交易，谨防被骗！
- 联系人：杨茜
- 电话：13266663313
- 邮件：sunsanna@changer-tech.com
- 传真：15013641390
最新注册 友情链接 |
|
 基本公司车规SiC碳化硅MOSFET加速替汽车里的IGBT！
使用基本公司车规SiC碳化硅MOSFET打造全碳汽车率电力电子系统！-倾佳电子（Changer Tech）业分销
使用基本公司车规SiC碳化硅MOSFET升传统汽车IGBT应用，实现高的汽车率电力电子系统率，小的汽车率电力电子系统重量！低的汽车率电力电子系统组件成本！
随着铜价暴涨高烧不退，如何低电感等磁元件成本将成为电力电子制造商的大点，使用基本公司碳化硅MOSFET管或者模块替IGBT管或模块，可以显著提频低系统综合成本（电感磁元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时，未来已来！倾佳电子（Changer Tech）业分销基本公司SiC碳化硅MOSFET！
倾佳电子（Changer Tech）致力于基本公司国产碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子应用中全面取IGBT，全力推动基本公司国产碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!
基本公司自主研发的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H顺利通过AEC-Q101车规可靠认，产品能和可靠满足汽车电子元器件在端环境下的严苛要求，至此公司获车规认的碳化硅率器件产品再添员。
倾佳电子（Changer Tech）致力于基本公司国产碳化硅（SiC）MOSFET率器件在电力电子--场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which --mitted to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!
AB2M080120H基于第二碳化硅MOSFET技术平台研发，产品具有低导通电阻、低导通耗、低开关耗，可支持高开关频率运行等特点，可应用于车载OBC、车载DCDC及汽车空调压缩机域。此次通过AEC-Q101认，显示AB2M080120H碳化硅MOSFET器件在端环境下具备异能，满足汽车行业高率度、高能、高可靠的需求。此外，基本公司同步推出了1200V 80mΩ和40mΩ规格的车规碳化硅MOSFET系列产品，封装覆盖TO-247-3、TO-247-4和TO-263-7，可满足汽车行业多样的应用场景需求。
AEC-Q101认是汽车电子--会(Automotive Electronics Council)制定的车用分立半导元件可靠测试标准，在全球汽车产业都具有高的。AEC-Q101认门槛高，测试项目覆盖广，对分立器件的设计质量、安全、可靠要求为严苛，是分立半导厂进入汽车域的重要通行。
基本公司自2017年开始布-车规碳化硅器件研发和制造，逐步建立起规范严谨的质量管系，将质量管贯穿至设计、开发到客户服务的各业务过程中，保障产品与服务质量。公司分别在深圳、无锡投产车规碳化硅芯片产线和汽车碳化硅率模块用产线；自主研发的汽车碳化硅率模块已收获了近20整车厂和Tier1电控客户的30多个车型定点，是国内第批碳化硅模块量产上车的头部企业。
随着新能源汽车行业的快速发展，--场对高能率半导的需求日益增长。基本公司将继续加大研发投入，提高质量管能力，化产品能，为汽车行业客户研发多高能的车规碳化硅率器件产品，全力助推碳中和愿景下的汽车产业电动化技术创新发展！
IGBT芯片技术不断发展，但是从芯片到下芯片获得的进幅度越来越小。这表明IGBT每新芯片都越来越接近材料本身的物限。SiC MOSFET宽禁带半导提供了实现半导总率耗的显著低的可能。使用SiC MOSFET可以低开关耗，从而提高开关频率。进步的，可以化滤波器组件，相应的耗会下，从而全面少系统耗。通过采用低电感SiC MOSFET率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，率耗可以低约70左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器化），同时保持高结温低于大规定值。
未来随着设备和工艺能力的推进，小的元胞尺寸、低的比导通电阻、低的开关耗、好的栅保是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，现在应用端上则是好的能和高的可靠。
为此，BASiC™基本公司研发推出高能的第三碳化硅MOSFET，该系列产品进步化钝化层，提升可靠，相比上产品拥有低比导通电阻、器件开关耗，以及高可靠等越能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现为出色的能源率和应用可靠。
为满足光伏储能域高电压、大率的应用需求，BASiC™基本公司基于第二SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通耗、低开关耗、支持高开关频率运行等特点。
对新能源汽车的应用需求，BASiC™基本公司研发推出符合AEC-Q101认和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。
B3M040120Z是BASiC™基本公司基于第三碳化硅MOSFET技术平台开发的新产品，该系列产品进步化钝化层，提升可靠，相对于上产品在比导通电阻、开关耗以及可靠方面有进步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基于PcoreTM2 E2B封装的1200V 5.5mΩ工业全碳化硅半桥率模块，产品采用集成的NTC温度传感器、Press-Fit压接技术以及高封装可靠的氮化硅AMB陶瓷基板，在导通电阻、开关耗、误导通、双退化等方面表现出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基于第二碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块，主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。
BASiC™基本公司推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，此驱动芯片为碳化硅MOSFET门驱动设计，可高可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通，还可用于驱动MOSFET、IGBT等率器件。
为了保持电力电子系统竞争势，同时也为了使用户获得经济益，定程度的率和紧凑成为每种电力电子应用率转换应用的势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET--成本持续下，使用SiC MOSFET替升IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。
倾佳电子（Changer Tech）业分销基本™（BASiC Semiconductor）碳化硅SiC率MOSFET,BASiC基本™碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™管SiC碳化硅MOSFET，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™SiC碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™I型三电平IGBT模块，BASiC基本™T型SiC碳化硅MOSFET模块，BASiC基本™混合SiC-IGBT管，BASiC基本™混合SiC-IGBT模块，碳化硅(SiC)MOSFET用双通道隔离驱动芯片BTD25350，通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,通道隔离驱动芯片（带VCE保）BTD3011,BASiC基本™混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器，双向AC-DC电源，户用光伏逆变器，户用光储机，储能变流器，储能PCS,双向LLC电源模块，储能PCS-Buck-Boost电路，光储机,PCS双向变流器，三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源域。在光伏逆变器、光储机、储能变流器PCS、OBC车载充电器，热管电动压缩机驱动器，射频电源，PET电力电子变压器，氢燃料空压机驱动，大率工业电源，--业储能变流器，变频器，变桨伺服驱动电源，高频逆变焊机，高频伺服驱动，AI服务器电源，算力电源，数据中心电源，机房UPS等域与客户-略合作，倾佳电子（Changer Tech）全力支持中国电力电子工业发展！
倾佳电子（Changer Tech）-业汽车连接器及率半导(SiC碳化硅MOSFET管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET，氮化镓GaN，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动化、数字化转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。在新型能源系的发展趋势场景下，合数字技术、电力电子技术、热管技术和储能管技术，以实现发电的低碳化、用能的电气化和用电的高化，以及“源、网、荷、储、车”的协同发展。倾佳电子（Changer Tech）-以技术创新为导向，将不断创新技术和产品，坚定不移与产业和合作伙伴携手，积参与数字能源产业生态，为客户提供高--汽车智能互联连接器与线束，新能源汽车连接器，新能源汽车高压连接器与线束，直流充电座，耐高压连接器&插座，创新型车规互联产品，包括线对板、板对板、输入输出、电源管和FFC-FPC连接器，涵盖2充电站和可在30分钟内为EV电池充满电的3超快速充电站的高能电源连接器，用于地下无线充电的IP67封连接器。以及以技术创新为导向的各类率半导器件：车规碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模块，碳化硅(SiC)MOSFET模块，IGBT模块，国产碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模块，IGBT管，混合IGBT管，三电平IGBT模块，混合IGBT模块，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驱动SiC碳化硅MOSFET，逆变焊机国产SiC碳化硅MOSFET，OBC车载SiC碳化硅MOSFET，储能变流器PCS碳化硅MOSFET模块，充电桩电源模块碳化硅MOSFET，国产氮化镓GaN，隔离驱动IC等产品，倾佳电子（Changer Tech）全面服务于中国新能源汽车行业，新能源汽车电控系统，电力电子装备，新能源汽车充电桩系统，全液冷超充，高率度风冷充电模块，液冷充电模块，欧标充电桩，车载DCDC模块，国网三统充电模块光储变流器，分布式能源、虚拟电厂、智能充电网络、V2X、综合智慧能源、智能微电网智能光储，智能组串式储能等行业应用，倾佳电子（Changer Tech）为实现零碳发电、零碳数据中心、零碳网络、零碳庭等新能源发展目标奋斗，从而为实现个零碳地球做出贡献，迈向数字能源新时！
|
| 公司名称： |
武汉倾佳电子有限公司 |
公司类型： |
企业单位 (服务商) |
| 所 在 地： |
湖北 |
公司规模： |
|
| 注册资本： |
未填写 |
注册年份： |
2018 |
| 资料认证： |
|
| 经营模式： |
服务商 |
| 经营范围： |
BASiC基半一级代理|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模块替代英飞凌IGBT模块|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模块替代富士IGBT模块|华中SiC碳化硅MOSFET功率模块|国产SiC碳化硅MOSFET武汉代理商|SiC碳化硅MOSFET持续替代IGBT|2000V碳化硅MOSFET|伺服驱动SiC碳化硅MOSFET|SVG及APF电能质量SiC碳化硅MOSFET|风电变流器SiC碳化硅MOSFET模块|工业变频器SiC碳化硅MOSFET|基本公司SiC碳化硅MOSFET|国产SiC碳化 |
| 销售的产品： |
BASiC基半一级代理|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模块替代英飞凌IGBT模块|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模块替代富士IGBT模块|华中SiC碳化硅MOSFET功率模块|国产SiC碳化硅MOSFET武汉代理商|SiC碳化硅MOSFET持续替代IGBT|2000V碳化硅MOSFET|伺服驱动SiC碳化硅MOSFET|SVG及APF电能质量SiC碳化硅MOSFET|风电变流器SiC碳化硅MOSFET模块|工业变频器SiC碳化硅MOSFET|基本公司SiC碳化硅MOSFET|国产SiC碳化 |
| 采购的产品： |
BASiC基半一级代理|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模块替代英飞凌IGBT模块|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模块替代富士IGBT模块|华中SiC碳化硅MOSFET功率模块|国产SiC碳化硅MOSFET武汉代理商|SiC碳化硅MOSFET持续替代IGBT|2000V碳化硅MOSFET|伺服驱动SiC碳化硅MOSFET|SVG及APF电能质量SiC碳化硅MOSFET|风电变流器SiC碳化硅MOSFET模块|工业变频器SiC碳化硅MOSFET|基本公司SiC碳化硅MOSFET|国产SiC碳化 |
| 主营行业： |
|
|
免责声明：以上信息由相关企业或个人自行免费发布，其真实性、准确性及合法性未证实。请谨慎采用，风险自负。挖网络对此不承担任何法律责任。